Жесткие диски в Лунинеце

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 12000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 3.0; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 65; Уровень шума работы: 29; Потребляемая мощность: 6; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.6; Уровень шума простоя: 20; Ширина: 101.6; Высота: 26.1; Длина: 147; Вес: 660
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Скорость последовательного чтения: 3600 Мб/с; Скорость последовательной записи: 3000 Мб/с
Компания производитель: Gigabyte

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 4000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Ударостойкость при хранении: 250; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 25; Потребляемая мощность: 4.7; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.3; Уровень шума простоя: 23; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital

Высота: 26.11 мм; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.9 Вт; Потребляемая мощность: 10.3 Вт; Ударостойкость при работе: 40 G; Ударостойкость при хранении: 150 G
Компания производитель: Seagate

Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
Компания производитель: ТМИ

Время наработки на отказ: 2500000 ч; Высота: 26.1 мм; Уровень шума простоя: 20 Дб; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.5 Вт; Потребляемая мощность: 6.9 Вт
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Контроллер: Phison PS5021-E21-48; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 110 TBW
Компания производитель: Crucial

Объем: 0.500 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Скорость последовательного чтения: 5000 Мб/с
Компания производитель: Netac

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 12000 Гб; Поддержка секторов размером 4 Кб: есть; Скорость вращения: 7200 rpm
Компания производитель: Seagate

Интерфейс SAS: SAS 3.0; Высота: 26.1 мм; Потребляемая мощность в спящем режиме: 5.8 Вт; Потребляемая мощность: 9.9 Вт; Ударостойкость при работе: 50 G
Компания производитель: Seagate

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Скорость последовательного чтения: 3400; Скорость последовательной записи: 2900; Средняя скорость случайного чтения: 480 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 540 000 IOps; Толщина: 2.38; Контроллер: Western Digital; Дата выхода на рынок: 2021; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 2500 TBW
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 55 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Phison S11; Ресурс записи: 250 TBW
Компания производитель: MSI

Объем: 2 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D QLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Crucial

Объем: 0.250 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Gigabyte

Форм-фактор: 2.5"; Тип: HDD; Емкость: 1000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 128
Компания производитель: Seagate

Объем: 4 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: есть
Компания производитель: Crucial

3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ

Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 7300; Скорость последовательной записи: 6000; Средняя скорость случайного чтения: 900 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 000 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 6.3; Энергопотребление (ожидание): 0.01; Время наработки на отказ (МТBF): 1800000; Толщина: 10.5; Контроллер: Phison PS5018-E18; Дата выхода на рынок: 2021; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1000 TBW; Буфер обмена: 1024
Компания производитель: Kingston

Интерфейс SAS: SAS 3.0; Вес: 193 г; Длина: 100.45 мм; Высота: 15 мм; Ширина: 70.1 мм
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.24; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 500; Скорость последовательной записи: 420; Средняя скорость случайного чтения: 50 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2.61; Энергопотребление (ожидание): 0.17; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Gigabyte

Объем: 2 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Transcend

Компания производитель: Seagate

Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.3); Скорость последовательного чтения: 1650; Скорость последовательной записи: 1500; Средняя скорость случайного чтения: 220 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 200 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 3.15; Размеры М.2: 2242; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Netac

Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: нет; Толщина: 10.5 мм
Компания производитель: KingSpec

3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ
Компания производитель: Seagate

Объем: 0.26; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 520; Скорость последовательной записи: 500; Средняя скорость случайного чтения: 80 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2.61; Энергопотребление (ожидание): 0.17; Толщина: 7; Контроллер: Phison PS3111-S11; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Gigabyte

Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 64; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 30; Уровень шума работы: 34; Потребляемая мощность: 7.8; Потребляемая мощность в спящем режиме: 1.4; Уровень шума простоя: 31; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital

Объем: 0.48; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Время наработки на отказ (МТBF): 1600000; Толщина: 7
Компания производитель: AGI

Объем: 0.96 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4; Аппаратное шифрование: есть; Скорость последовательного чтения: 6800 Мб/с
Компания производитель: Samsung

Объем: 6.4; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Средняя скорость случайного чтения: 720 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 355 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2500000; Толщина: 15
Компания производитель: Kioxia

Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 550; Скорость последовательной записи: 500; Средняя скорость случайного чтения: 75 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps; Толщина: 7; Контроллер: Phison PS3111-S11; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Gigabyte

Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: Silicon Power

3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 256 МБ
Компания производитель: WD

Средняя скорость случайной записи: 70 000 IOps; Ресурс записи: 200 TBW; Радиатор охлаждения: нет; Дата выхода на рынок: 2018; Контроллер: Phison PS3111-S11
Компания производитель: Gigabyte

Объем: 1.6; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SAS 4 (24G); Тип микросхем Flash: TLC; Скорость последовательного чтения: 4150; Скорость последовательной записи: 2700; Средняя скорость случайного чтения: 595 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 265 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5; Время наработки на отказ (МТBF): 2500000; Толщина: 15
Компания производитель: Kioxia

Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Энергопотребление (чтение/запись): 2.3; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Gigabyte