2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 550/450 MBps
Компания производитель: Apacer
Объем: 0.12 Тб Форм-фактор: M.2 Интерфейс: SATA 3.0 Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND Скорость последовательного чтения: 530 Мб/с Скорость последовательной записи: 330 Мб/с Средняя скорость случайного чтения: 42 000 IOps
Компания производитель: AMD
Объем: 0.24; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 520; Скорость последовательной записи: 450; Средняя скорость случайного чтения: 40 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 75 000 IOps; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258; Дата выхода на рынок: 2017
Компания производитель: A-Data
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (128-слоев); Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6900; Скорость последовательной записи: 5000; Средняя скорость случайного чтения: 800 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 000 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.9; Энергопотребление (ожидание): 0.04; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Elpis; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 300 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.96; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 510; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 36 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3; Энергопотребление (ожидание): 1; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2018
Компания производитель: Intel
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: mSATA; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: MLC
Компания производитель: Netac
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x2 (NVMe 1.3); Скорость последовательного чтения: 1650; Скорость последовательной записи: 1500; Средняя скорость случайного чтения: 220 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 200 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 3.15; Размеры М.2: 2242; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Netac
Объем: 15.36; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 15
Компания производитель: Intel
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 2000; Скорость вращения: 5400; Объем буфера: 64; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 1000000; Ударостойкость при хранении: 300; Ударостойкость при работе: 70; Уровень шума работы: 26; Потребляемая мощность: 4; Потребляемая мощность в спящем режиме: 0.3; Уровень шума простоя: 21; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3); Энергопотребление (чтение/запись): 2.3; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 480 TBW
Компания производитель: Gigabyte
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 7300; Скорость последовательной записи: 6300; Средняя скорость случайного чтения: 800 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 100 000 IOps; Толщина: 8.8; Контроллер: WD Black G2; Радиатор охлаждения; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 600 TBW
Компания производитель: Western Digital
