- id 15662413
- 31.07.2025
SSD DIGMA Mega S3 1TB DGSM3001TS33T
Объем: 1 Тб; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (NVMe); Аппаратное шифрование: нет
Компания производитель: DIGMA
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 5000; Скорость последовательной записи: 4500; Средняя скорость случайного чтения: 400 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 550 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 3.13; Контроллер: Silicon Motion SMI2263XT; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1000 TBW
Компания производитель: A-Data
Объем: 1; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 2400; Скорость последовательной записи: 1800; Средняя скорость случайного чтения: 180 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 150 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 3.13; Контроллер: Realtek RTS5766DL; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 260 TBW
Компания производитель: A-Data
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 7200 об/мин, буфер 64 МБ
Компания производитель: Toshiba
3.5", SATA 3.0 (6Gbps), 5400 об/мин, буфер 128 МБ
Компания производитель: Toshiba
Среднее время доступа: 4.16 мс; Потребляемая мощность в спящем режиме: 6.04 Вт; Потребляемая мощность: 10.32 Вт; Ударостойкость при работе: 70 G; Ударостойкость при хранении: 300 G
Компания производитель: Seagate
Объем: 0.5; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 85 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 3.35; Энергопотребление (ожидание): 0.56; Толщина: 7; Дата выхода на рынок: 2019
Компания производитель: Western Digital
Объем: 0.25; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: SATA 3.0; Скорость последовательного чтения: 555; Скорость последовательной записи: 440; Средняя скорость случайного чтения: 80 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 78 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2; Энергопотребление (ожидание): 0.01; Толщина: 2.38; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 100 TBW
Компания производитель: Western Digital
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND (128-слоев); Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 6900; Скорость последовательной записи: 5000; Средняя скорость случайного чтения: 800 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 000 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.9; Энергопотребление (ожидание): 0.04; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 2.38; Контроллер: Samsung Elpis; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 300 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung